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CTMicro,億光,LITEON,CT1019,山東OR-1019貼片光耦廠家

更新時間:2025-07-19 編號:211viftcgdc652
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  • 貼片光耦,光耦合器,CT1018,CT1019

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韓旭

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產品詳情

CTMicro,億光,LITEON,CT1019,山東OR-1019貼片光耦廠家

關鍵詞
貼片光耦廠家,北京貼片光耦,CT1019貼片光耦,EL1019貼片光耦
面向地區
全國
材質
PP

⑴按光路徑分,可分為外光路光電耦合器(又稱光電斷續檢測器)和內光路光電耦合器。外光路光電耦合器又分為透過型和反射型光電耦合器。

四、傳輸特性:
1.電流傳輸比CTR(Current Transfer Radio)
2.上升時間Tr (Rise Time)& 下降時間Tf(Fall Time)
其它參數諸如工作溫度、耗散功率等不再一一敷述。

以下為光電耦合器的常用參數:
反向電流IR:在被測管兩端加規定反向工作電壓VR時,二極管中流過的電流。
反向擊穿電壓VBR:被測管通過的反向電流IR為規定值時,在兩極間所產生的電壓降。
正向壓降VF:二極管通過的正向電流為規定值時,正負極之間所產生的電壓降。
正向電流IF:在被測管兩端加一定的正向電壓時二極管中流過的電流。結電容CJ:在規定偏壓下,被測管兩端的電容值。
反向擊穿電壓V(BR)CEO:發光二極管開路,集電極電流IC為規定值,集電極與發射集間的電壓降。
輸出飽和壓降VCE(sat):發光二極管工作電流IF和集電極電流IC為規定值時,并保持IC/IF≤CTRmin時(CTRmin在被測管技術條件中規定)集電極與發射極之間的電壓降。
反向截止電流ICEO:發光二極管開路,集電極至發射極間的電壓為規定值時,流過集電極的電流為反向截止電流。
電流傳輸比CTR:輸出管的工作電壓為規定值時,輸出電流和發光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。
脈沖上升時間tr,下降時間tf:光耦合器在規定工作條件下,發光二極管輸入規定電流IFP的脈沖波,輸出端管則輸出相應的脈沖波,從輸出脈沖幅度的10%到90%,所需時間為脈沖上升時間tr。從輸出脈沖后沿幅度的90%到10%,所需時間為脈沖下降時間tf。
傳輸延遲時間tPHL,tPLH:從輸入脈沖幅度的50%到輸出脈沖電平下降到1.5V時所需時間為傳輸延遲時間tPHL。從輸入脈沖后沿幅度的50%到輸出脈沖電平上升到1.5V時所需時間為傳輸延遲時間tPLH。
入出間隔離電容CIO:光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值。
入出間隔離電阻RIO:半導體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。
入出間隔離電壓VIO:光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值.

CT Micro 成立時專注于提供技術,并將其構建到我們的產品和解決方案中,然后可以通過我們全球客戶苛刻的應用程序實施。

CT Micro 由一支技術、的團隊管理,他們致力于光電和分立 MOSFET 產品的設計、營銷和銷售。所有高層管理和技術團隊成員都擁有超過 15 年的產品知識,因此可以以少的精力和時間幫助實現從組件選擇到實際成品實施的任何設計權利。所服務的一些終端市場應用領域包括消費電子、工業和家用電器。

了解任何佳應用和產品都需要匹配的組件, CT Micro 對我們所有的新產品實施嚴格的設計要求,并在我們的制造過程中實施世界的質量控制。對我們來說,創造可靠、的產品只是我們向客戶、社會和世界展示我們的責任的一種方式。
CT Micro 的主要目標是朝著零缺陷邁進。為了實現這一目標,CT Micro 對從設計、制造到測試的質量進行了嚴格的控制。由于我們的旅程從設計開始,因此在此階段使用 DFMEA 來理解和識別設計,以便盡早進行改進。在制造過程中,使用統計過程控制(SPC)來監控每個過程,以嚴密的 UCL 和 LCL 來保持過程控制的嚴密。這僅允許很小的偏差,確保良好和穩定的過程。在我們的測試中使用了多個測試,以確保測試程序將有效地篩選所有缺陷。保持我們對質量CT 的承諾Micro 會定期執行實時可靠性 (RTR),以確保產品符合要求的質量標準。

CT Micro 將繼續致力于打造滿足并客戶對質量、可靠性和服務期望的產品。
以下是目前市場上常見的高速光藕型號:

100K bit/S:
6N138、6N139、PS8703

1M bit/S:
6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530(雙路)、HCPL-2531(雙路)

10M bit/S:
6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630(雙路)、HCPL-2631(雙路)

可控硅型光耦
還有一種光耦是可控硅型光耦。
例如:moc3063、IL420;
它們的主要指標是負載能力;
例如:moc3063的負載能力是100mA;IL420是300mA;
型號規格 性能說明  
4N25 晶體管輸出
4N25MC 晶體管輸出
4N26 晶體管輸出
4N27 晶體管輸出
4N28 晶體管輸出
4N29 達林頓輸出
4N30 達林頓輸出
4N31 達林頓輸出
4N32 達林頓輸出
4N33 達林頓輸出
4N33MC 達林頓輸出
4N35 達林頓輸出
4N36 晶體管輸出
4N37 晶體管輸出
4N38 晶體管輸出
4N39 可控硅輸出
6N135 高速光耦晶體管輸出
6N136 高速光耦晶體管輸出
6N137 高速光耦晶體管輸出
6N138 達林頓輸出
6N139 達林頓輸出
MOC3020 可控硅驅動輸出
MOC3021 可控硅驅動輸出
MOC3023 可控硅驅動輸出
MOC3030 可控硅驅動輸出
MOC3040 過零觸發可控硅輸出
MOC3041 過零觸發可控硅輸出
MOC3061 過零觸發可控硅輸出
MOC3081 過零觸發可控硅輸出
TLP521-1 單光耦
TLP521-2 雙光耦
TLP521-4 四光耦
TLP621 四光耦
TIL113 達林頓輸出
TIL117 TTL邏輯輸出
PC814 單光耦
PC817 單光耦
H11A2 晶體管輸出
H11D1 高壓晶體管輸出
H11G2 電阻達林頓輸

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