CT Micro 成立時專注于提供技術，并將其構建到我們的產品和解決方案中，然后可以通過我們全球客戶苛刻的應用程序實施。

CT Micro 由一支技術、的團隊管理，他們致力于光電和分立 MOSFET 產品的設計、營銷和銷售。所有高層管理和技術團隊成員都擁有超過 15 年的產品知識，因此可以以少的精力和時間幫助實現從組件選擇到實際成品實施的任何設計權利。所服務的一些終端市場應用領域包括消費電子、工業和家用電器。

了解任何佳應用和產品都需要匹配的組件， CT Micro 對我們所有的新產品實施嚴格的設計要求，并在我們的制造過程中實施世界的質量控制。對我們來說，創造可靠、的產品只是我們向客戶、社會和世界展示我們的責任的一種方式。

CT Micro 的主要目標是朝著零缺陷邁進。為了實現這一目標，CT Micro 對從設計、制造到測試的質量進行了嚴格的控制。由于我們的旅程從設計開始，因此在此階段使用 DFMEA 來理解和識別設計，以便盡早進行改進。在制造過程中，使用統計過程控制（SPC）來監控每個過程，以嚴密的 UCL 和 LCL 來保持過程控制的嚴密。這僅允許很小的偏差，確保良好和穩定的過程。在我們的測試中使用了多個測試，以確保測試程序將有效地篩選所有缺陷。保持我們對質量CT 的承諾Micro 會定期執行實時可靠性 (RTR)，以確保產品符合要求的質量標準。

CT Micro 將繼續致力于打造滿足并客戶對質量、可靠性和服務期望的產品。

光耦合器（opticalcoupler equipment，英文縮寫為OCEP）亦稱光電隔離器或光電耦合器，簡稱光耦。它是以光為媒介來傳輸電信號的器件，通常把發光器（紅外線發光二極管LED）與受光器（光敏半導體管，光敏電阻）封裝在同一管殼內。當輸入端加電信號時發光器發出光線，受光器接收光線之后就產生光電流，從輸出端流出，從而實現了“電—光—電”控制。以光為媒介把輸入端信號耦合到輸出端的光電耦合器，由于它具有體積小、壽命長、無觸點，抗干擾能力強，輸出和輸入之間絕緣，單向傳輸信號等優點，在數字電路上獲得廣泛的應用。

一、輸入特性
光耦合器的輸入特性實際也就是其內部發光二極管的特性。常見的參數有：
1. 正向工作電壓Vf（Forward Voltage）
Vf是指在給定的工作電流下，LED本身的壓降。常見的小功率LED通常以If=20mA來測試正向工作電壓，當然不同的LED，測試條件和測試結果也會不一樣。
2. 反向電壓Vr（Reverse Voltage ）
是指LED所能承受的大反向電壓，超過此反向電壓，可能會損壞LED。在使用交流脈沖驅動LED時，要特別注意不要超過反向電壓。
3. 反向電流Ir（Reverse Current）
通常指在大反向電壓情況下，流過LED的反向電流。
4. 允許功耗Pd（Maximum Power Dissipation）
LED所能承受的大功耗值。超過此功耗，可能會損壞LED。
5. 中心波長λp（Peak Wave Length）
是指LED所發出光的中心波長值。波長直接決定光的顏色，對于雙色或多色LED，會有幾個不同的中心波長值。
6. 正向工作電流If（Forward Current）
If是指LED正常發光時所流過的正向電流值。不同的LED，其允許流過的大電流也會不一樣。
7. 正向脈沖工作電流Ifp（Peak Forward Current）
Ifp是指流過LED的正向脈沖電流值。為壽命，通常會采用脈沖形式來驅動LED，通常LED規格書中給中的Ifp是以0.1ms脈沖寬度,占空比為1/10的脈沖電流來計算的。

二、輸出特性
光耦合器的輸出特性實際也就是其內部光敏三極管的特性，與普通的三極管類似。常見的參數有：
1. 集電極電流Ic（Collector Current）
光敏三極管集電極所流過的電流，通常表示其大值。
2. 集電極-發射極電壓Vceo（C-E Voltage）
集電極-發射極所能承受的電壓。
3. 發射極-集電極電壓Veco（E-C Voltage）
發射極-集電極所能承受的電壓
4. 反向截止電流Iceo
5. C-E飽和電壓Vce(sat)（C-E Saturation Voltage）

三、隔離特性
1．入出間隔離電壓Vio（Isolation Voltage）
光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值。
2．入出間隔離電容Cio（Isolation Capacitance）：
光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值
3．入出間隔離電阻Rio：（Isolation Resistance）
半導體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。