SIMOX技術是早的SOI晶圓制備技術之一，是利用離子注入技術把氧離子注入到硅中，形成氧化物隔離埋層，通過氧化物隔離埋層隔離襯底和頂層硅薄膜層。氧離子注入的能量為200keV，劑量為 ，氧離子會注入到硅晶圓表面下方；然后經由3~6小時的高溫（1350℃）退火，硅晶圓里的氧離子和硅發生化學反應，在硅晶圓表面下方形成一層厚度小于240nm的二氧化硅絕緣層材料。而在此二氧化硅絕緣層的上方則會產生一層結晶層，它們就組成了硅薄層-二氧化硅絕緣層材料-硅襯底的SOI結構。
為了對短時間大視場一維光強信息進行采集,采用編碼轉換技術和自聚焦透鏡矩形陣列設計了光開關,用小口徑電光晶體實現了大視場的測量.采用MOS管級聯的高壓同步電路,使得系統具有結構緊湊、、壽命長等優點.實驗結果表明:開關選通時間100±5 ns,前后沿小于25 ns,消光比1 100∶1
NxN可定制通道
提供差損類型，差損<3dB, <2dB可以定制。
可定制超小尺寸
詳情介紹：
高速光開關陣列的特點：本系列光開關產品為集成式低損耗，無阻斷高速光開關陣列，可用于高速光切換，網絡配置及光學包交換。
高集成化光開關，作為實現全光交換功能的核心部件，目前國內普遍采用單器件級聯拼接的方式實現矩陣化。這種方案在其指標、工藝要求、產品可靠性及成本等方面形成瓶頸，導致國內全光交換應用在推廣性、發展難以突破。
光電倍增管Photomultiplier Modules
產品特性：
兩種波段可選：280 - 630 nm 或 280 - 850 nm
可提供倍增管接口組件
具有防靜電和消磁作用
變換增益：陽電流1 V/μA
鏈構型環形電
封裝與SM1螺紋匹配
封裝含4個螺紋孔，與ER系列籠桿匹配
支桿可安裝于3種不同組件
120V電源供應（230V可選）
SMA輸出
