一、輸入特性
光耦合器的輸入特性實際也就是其內部發光二極管的特性。常見的參數有：
1. 正向工作電壓Vf（Forward Voltage）
Vf是指在給定的工作電流下，LED本身的壓降。常見的小功率LED通常以If=20mA來測試正向工作電壓，當然不同的LED，測試條件和測試結果也會不一樣。
2. 反向電壓Vr（Reverse Voltage ）
是指LED所能承受的大反向電壓，超過此反向電壓，可能會損壞LED。在使用交流脈沖驅動LED時，要特別注意不要超過反向電壓。
3. 反向電流Ir（Reverse Current）
通常指在大反向電壓情況下，流過LED的反向電流。
4. 允許功耗Pd（Maximum Power Dissipation）
LED所能承受的大功耗值。超過此功耗，可能會損壞LED。
5. 中心波長λp（Peak Wave Length）
是指LED所發出光的中心波長值。波長直接決定光的顏色，對于雙色或多色LED，會有幾個不同的中心波長值。
6. 正向工作電流If（Forward Current）
If是指LED正常發光時所流過的正向電流值。不同的LED，其允許流過的大電流也會不一樣。
7. 正向脈沖工作電流Ifp（Peak Forward Current）
Ifp是指流過LED的正向脈沖電流值。為壽命，通常會采用脈沖形式來驅動LED，通常LED規格書中給中的Ifp是以0.1ms脈沖寬度,占空比為1/10的脈沖電流來計算的。

二、輸出特性
光耦合器的輸出特性實際也就是其內部光敏三極管的特性，與普通的三極管類似。常見的參數有：
1. 集電極電流Ic（Collector Current）
光敏三極管集電極所流過的電流，通常表示其大值。
2. 集電極-發射極電壓Vceo（C-E Voltage）
集電極-發射極所能承受的電壓。
3. 發射極-集電極電壓Veco（E-C Voltage）
發射極-集電極所能承受的電壓
4. 反向截止電流Iceo
5. C-E飽和電壓Vce(sat)（C-E Saturation Voltage）

以下是目前市場上常見的高速光藕型號：

100K bit/S:
6N138、6N139、PS8703

1M bit/S:
6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（雙路）、HCPL-2531（雙路）

10M bit/S:
6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（雙路）、HCPL－2631（雙路）

可控硅型光耦
還有一種光耦是可控硅型光耦。
例如：moc3063、IL420；
它們的主要指標是負載能力；
例如：moc3063的負載能力是100mA；IL420是300mA；
型號規格 性能說明 　
4N25 晶體管輸出
4N25MC 晶體管輸出
4N26 晶體管輸出
4N27 晶體管輸出
4N28 晶體管輸出
4N29 達林頓輸出
4N30 達林頓輸出
4N31 達林頓輸出
4N32 達林頓輸出
4N33 達林頓輸出
4N33MC 達林頓輸出
4N35 達林頓輸出
4N36 晶體管輸出
4N37 晶體管輸出
4N38 晶體管輸出
4N39 可控硅輸出
6N135 高速光耦晶體管輸出
6N136 高速光耦晶體管輸出
6N137 高速光耦晶體管輸出
6N138 達林頓輸出
6N139 達林頓輸出
MOC3020 可控硅驅動輸出
MOC3021 可控硅驅動輸出
MOC3023 可控硅驅動輸出
MOC3030 可控硅驅動輸出
MOC3040 過零觸發可控硅輸出
MOC3041 過零觸發可控硅輸出
MOC3061 過零觸發可控硅輸出
MOC3081 過零觸發可控硅輸出
TLP521-1 單光耦
TLP521-2 雙光耦
TLP521-4 四光耦
TLP621 四光耦
TIL113 達林頓輸出
TIL117 TTL邏輯輸出
PC814 單光耦
PC817 單光耦
H11A2 晶體管輸出
H11D1 高壓晶體管輸出
H11G2 電阻達林頓輸