關(guān)鍵詞 |
貼片光耦規(guī)格,北京貼片光耦,貼片光耦大量出貨,貼片光耦性能可靠 |
面向地區(qū) |
全國(guó) |
材質(zhì) |
PP |
光電耦合器分為兩種:一種為非線性光耦,另一種為線性光耦。非線性光耦的電流傳輸特性曲線是非線性的,這類光耦適合于開(kāi)關(guān)信號(hào)的傳輸,不適合于傳輸模擬量。常用的4N系列光耦屬于非線性光耦。
線性光耦的電流傳輸特性曲線接近直線,并且小信號(hào)時(shí)性能較好,能以線性特性進(jìn)行隔離控制。常用的線性光耦是PC817A—C系列。
按封裝形式分,可分為同軸型,雙列直插型,TO封裝型,扁平封裝型,貼片封裝型,以及光纖傳輸型
按傳輸信號(hào)分,可分為數(shù)字型光電耦合器(OC門(mén)輸出型,圖騰柱輸出型及三態(tài)門(mén)電路輸出型等)和線性光電耦合器(可分為低漂移型,高線性型,寬帶型,單電源型,雙電源型等)。
按速度分,可分為低速光電耦合器(光敏三極管、光電池等輸出型)和高速光電耦合器(光敏二極管帶信號(hào)處理電路或者光敏集成電路輸出型)。
按通道分,可分為單通道,雙通道和多通道光電耦合器。
按隔離特性分,可分為普通隔離光電耦合器(一般光學(xué)膠灌封低于5000V,空封低于2000V)和高壓隔離光電耦合器(可分為10kV,20kV,30kV等)。
按工作電壓分,可分為低電源電壓型光電耦合器(一般5~15V)和高電源電壓型光電耦合器(一般大于30V)。
四、傳輸特性:
1.電流傳輸比CTR(Current Transfer Radio)
2.上升時(shí)間Tr (Rise Time)& 下降時(shí)間Tf(Fall Time)
其它參數(shù)諸如工作溫度、耗散功率等不再一一敷述。
三、隔離特性
1.入出間隔離電壓Vio(Isolation Voltage)
光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值。
2.入出間隔離電容Cio(Isolation Capacitance):
光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值
3.入出間隔離電阻Rio:(Isolation Resistance)
半導(dǎo)體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。
以下為光電耦合器的常用參數(shù):
反向電流IR:在被測(cè)管兩端加規(guī)定反向工作電壓VR時(shí),二極管中流過(guò)的電流。
反向擊穿電壓VBR:被測(cè)管通過(guò)的反向電流IR為規(guī)定值時(shí),在兩極間所產(chǎn)生的電壓降。
正向壓降VF:二極管通過(guò)的正向電流為規(guī)定值時(shí),正負(fù)極之間所產(chǎn)生的電壓降。
正向電流IF:在被測(cè)管兩端加一定的正向電壓時(shí)二極管中流過(guò)的電流。結(jié)電容CJ:在規(guī)定偏壓下,被測(cè)管兩端的電容值。
反向擊穿電壓V(BR)CEO:發(fā)光二極管開(kāi)路,集電極電流IC為規(guī)定值,集電極與發(fā)射集間的電壓降。
輸出飽和壓降VCE(sat):發(fā)光二極管工作電流IF和集電極電流IC為規(guī)定值時(shí),并保持IC/IF≤CTRmin時(shí)(CTRmin在被測(cè)管技術(shù)條件中規(guī)定)集電極與發(fā)射極之間的電壓降。
反向截止電流ICEO:發(fā)光二極管開(kāi)路,集電極至發(fā)射極間的電壓為規(guī)定值時(shí),流過(guò)集電極的電流為反向截止電流。
電流傳輸比CTR:輸出管的工作電壓為規(guī)定值時(shí),輸出電流和發(fā)光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。
脈沖上升時(shí)間tr,下降時(shí)間tf:光耦合器在規(guī)定工作條件下,發(fā)光二極管輸入規(guī)定電流IFP的脈沖波,輸出端管則輸出相應(yīng)的脈沖波,從輸出脈沖幅度的10%到90%,所需時(shí)間為脈沖上升時(shí)間tr。從輸出脈沖后沿幅度的90%到10%,所需時(shí)間為脈沖下降時(shí)間tf。
傳輸延遲時(shí)間tPHL,tPLH:從輸入脈沖幅度的50%到輸出脈沖電平下降到1.5V時(shí)所需時(shí)間為傳輸延遲時(shí)間tPHL。從輸入脈沖后沿幅度的50%到輸出脈沖電平上升到1.5V時(shí)所需時(shí)間為傳輸延遲時(shí)間tPLH。
入出間隔離電容CIO:光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值。
入出間隔離電阻RIO:半導(dǎo)體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。
入出間隔離電壓VIO:光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值.
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