關鍵詞 |
放電管,北京放電管,5DS捷捷微電放電管,8TL捷捷微電放電管 |
面向地區 |
全國 |
江蘇捷捷微電子股份有限公司創建于1995年，是一家從事半導體分立器件、電力電子元器件研發、制造和銷售的江蘇省高新技術企業、江蘇省創新型企業、中國半導體協會會員單位、中國電器工業協會電力電子分會會員單位。公司建有“江蘇省企業技術中心”、“江蘇省工程技術研究中心”。公司具備的技術創新能力、良好的市場信譽和業務網絡，是國內電力半導體器件領域中，晶閘管器件及芯片方片化IDM（整合元件制造商，即覆蓋了整個芯片產業鏈，集芯片設計，制造和封裝測試一體）的半導體廠商。公司“捷捷”牌產品已銷往日本、韓國、西班牙、新加坡、臺灣等國家和地區，可靠的質量得到了用戶的充分肯定。
通流能力
氣體放電管>壓敏電阻>TVS管
TVS管通常只有幾百A，壓敏電阻按不同規格可通過數KA到數十KA的單次8/20uS浪涌電流，氣體放電管來說通常十KA級別8/20uS浪涌電流可導通數百次。
選用半導體放電管應注意以下幾點：
1、大瞬間峰值電流IPP大于通訊設備標準的規定值。如FCC Part68A類型的IPP應大于100A；Bellcore 1089的IPP應大于25A。
2、轉折電壓VBO小于被保護電路所允許的大瞬間峰值電壓。
3、半導體放電管處于導通狀態(導通)時，所損耗的功率P應小于其額定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路電流的波形決定。對于指數波，方波，正弦波，三角波K值分別為1.00，1.4，2.2，2.8。
4、反向擊穿電壓VBR大于被保護電路的大工作電壓。如在POTS應用中，大振鈴電壓(150V)的峰值電壓(150*1.41=212.2V)和直流偏壓峰值(56.6V)之和為268.8V，所以應選擇VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN應用中，大DC電壓(150V)和大信號電壓(3V)之和為153V，所以應選擇VBR大于153V的器件。
5、若要使半導體放電管通過大的浪涌電流后自復位，器件的維持電流IH大于系統所能能提供的電流值。即：IH(系統電壓/源阻抗)。
全國放電管熱銷信息
