SIMOX技術(shù)是早的SOI晶圓制備技術(shù)之一，是利用離子注入技術(shù)把氧離子注入到硅中，形成氧化物隔離埋層，通過氧化物隔離埋層隔離襯底和頂層硅薄膜層。氧離子注入的能量為200keV，劑量為  ，氧離子會注入到硅晶圓表面下方；然后經(jīng)由3~6小時的高溫（1350℃）退火，硅晶圓里的氧離子和硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在硅晶圓表面下方形成一層厚度小于240nm的二氧化硅絕緣層材料。而在此二氧化硅絕緣層的上方則會產(chǎn)生一層結(jié)晶層，它們就組成了硅薄層-二氧化硅絕緣層材料-硅襯底的SOI結(jié)構(gòu)。
為了對短時間大視場一維光強信息進行采集,采用編碼轉(zhuǎn)換技術(shù)和自聚焦透鏡矩形陣列設(shè)計了光開關(guān),用小口徑電光晶體實現(xiàn)了大視場的測量.采用MOS管級聯(lián)的高壓同步電路,使得系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、、壽命長等優(yōu)點.實驗結(jié)果表明:開關(guān)選通時間100±5 ns,前后沿小于25 ns,消光比1 100∶1

品名稱：NxN速光開關(guān)
產(chǎn)品簡介：
高速鈮酸速光開光具有的開關(guān)速度（標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品是10ns，速產(chǎn)品為<100ps），較低的插損（標(biāo)準(zhǔn)插損3.5dB，插損型號為2dB），高開關(guān)速率為亞納秒，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為10ns開關(guān)速率，產(chǎn)品也適合領(lǐng)域的微波通信用途。通道數(shù)可定制！

NxN可定制通道
提供差損類型，差損<3dB, <2dB可以定制。
可定制超小尺寸

詳情介紹：
高速光開關(guān)陣列的特點：本系列光開關(guān)產(chǎn)品為集成式低損耗，無阻斷高速光開關(guān)陣列，可用于高速光切換，網(wǎng)絡(luò)配置及光學(xué)包交換。
雪崩光電探測器（APD）
產(chǎn)品特性：
高速響應(yīng)達GHz
封裝尺寸小：50 x 50 x 45 mm
400-1000 nm /850-1650 nm波長可選
增益連續(xù)可調(diào)：1x to 100x (ADP210)
1x to 10x (ADP310)
SM05適配器