按輸出形式分，可分為：
a、光敏器件輸出型，其中包括光敏二極管輸出型，光敏三極管輸出型，光電池輸出型，光可控硅輸出型等。
b、NPN三極管輸出型，其中包括交流輸入型，直流輸入型，互補輸出型等。
c、達林頓三極管輸出型，其中包括交流輸入型，直流輸入型。
d、邏輯門電路輸出型，其中包括門電路輸出型，施密特觸發輸出型，三態門電路輸出型等。
e、低導通輸出型（輸出低電平毫伏數量級）。
f、光開關輸出型（導通電阻小于10Ω）。
g、功率輸出型（IGBT/MOSFET等輸出）。
h, 光敏電阻型（通過光，控制輸出電阻， 輸出電阻可以雙向， 可以交流， 改變了PC817之類只能一個方向的不便， 純電阻材料， 無極性輸出， 如LCR－0202）

二、輸出特性
光耦合器的輸出特性實際也就是其內部光敏三極管的特性，與普通的三極管類似。常見的參數有：
1. 集電極電流Ic（Collector Current）
光敏三極管集電極所流過的電流，通常表示其大值。
2. 集電極-發射極電壓Vceo（C-E Voltage）
集電極-發射極所能承受的電壓。
3. 發射極-集電極電壓Veco（E-C Voltage）
發射極-集電極所能承受的電壓
4. 反向截止電流Iceo
5. C-E飽和電壓Vce(sat)（C-E Saturation Voltage）

以下為光電耦合器的常用參數：
反向電流IR：在被測管兩端加規定反向工作電壓VR時，二極管中流過的電流。
反向擊穿電壓VBR：被測管通過的反向電流IR為規定值時，在兩極間所產生的電壓降。
正向壓降VF：二極管通過的正向電流為規定值時，正負極之間所產生的電壓降。
正向電流IF：在被測管兩端加一定的正向電壓時二極管中流過的電流。結電容CJ：在規定偏壓下，被測管兩端的電容值。
反向擊穿電壓V(BR)CEO：發光二極管開路，集電極電流IC為規定值，集電極與發射集間的電壓降。
輸出飽和壓降VCE(sat)：發光二極管工作電流IF和集電極電流IC為規定值時，并保持IC/IF≤CTRmin時（CTRmin在被測管技術條件中規定）集電極與發射極之間的電壓降。
反向截止電流ICEO：發光二極管開路，集電極至發射極間的電壓為規定值時，流過集電極的電流為反向截止電流。
電流傳輸比CTR：輸出管的工作電壓為規定值時，輸出電流和發光二極管正向電流之比為電流傳輸比CTR。
脈沖上升時間tr,下降時間tf：光耦合器在規定工作條件下，發光二極管輸入規定電流IFP的脈沖波，輸出端管則輸出相應的脈沖波，從輸出脈沖幅度的10%到90%，所需時間為脈沖上升時間tr。從輸出脈沖后沿幅度的90%到10%，所需時間為脈沖下降時間tf。
傳輸延遲時間tPHL,tPLH：從輸入脈沖幅度的50%到輸出脈沖電平下降到1.5V時所需時間為傳輸延遲時間tPHL。從輸入脈沖后沿幅度的50%到輸出脈沖電平上升到1.5V時所需時間為傳輸延遲時間tPLH。
入出間隔離電容CIO：光耦合器件輸入端和輸出端之間的電容值。
入出間隔離電阻RIO：半導體光耦合器輸入端和輸出端之間的絕緣電阻值。
入出間隔離電壓VIO：光耦合器輸入端和輸出端之間絕緣耐壓值.